[2024.04.22.월] 인천인력개발원 하만 세미콘 아카데미 전자회로 해석 및 설계 3. Transistor 응용회로 1. Open_Collector 프로젝트 생성 2. 회로 구성 3. 시뮬레이션 실행 4. Propogation Delay발생: 내부 신호처리 과정에서 발생 5. 7405/EVAL로 변경 6. 시뮬레이션 www.ti.com에서 7405 검색, datasheet 다운로드 HEX: 부품 6개 사용(DUAL, QUAD, HEX, OCTA) OPEN-COLLECTOR: 아래 등가회로에서 입력이 HIGH면 OUTPUT에 LOW, 입력이 LOW면 Collector 핀의 OUTPUT이 Floating(Open) 상태 7. 위 등가회로를 참고하여 회로 구성 8. Simulation OFF에서 0V가 나..

[2024.04.17.수] 인천인력개발원 하만 세미콘 아카데미 전자회로 해석 및 설계 OrCAD PSpice Diode model 변경(Library change) 1. UPWLEDxx 파일 다운로드 2. Work_OrCAD에 폴더 두 개 생성 후 1_datasheet, 1_Library로 폴더 이름 설정 3. 1_datasheet폴더에 위에서 다운로드한 파일 이동 4. 데이터시트 분석 위 LED는 최소 20mA~50mA의 전류로 사용 가능(Forward Voltage) 항목에서 확인 --> IF=20mA~50mA p.1에서 VR = 8V임을 확인 가능 5. Spice 모델 확인 가능 6. 메모장 실행하고 내용 입력 후 dsn_HW.lib로 저장(1_Library에 저장) OrCAD에서는 *로 주석 달기..

[2024.04.16.화] 인천인력개발원 하만 세미콘 아카데미 전자회로 해석 및 설계 5. Transistor 응용회로 1. Transistor 종류 BJT(현업에서는 "TR") npn TR pnp TR FET N-Channel FET P-Channel FET 2. BJT의 TR ON / OFF 특성 0.7V 이상의 전압이 걸리면 베이스 전류가 흐름(양공이 p로 이동) / 우측 전압원으로 인해 Collector에는 고전압 형성 p형 반도체로 이동한 양공으로 인해 Emitter에서 위쪽으로 전자 다량 이동(I_E 전류 흐름) Collector의 고전압으로 인해 2에서 이동한 전자가 대부분 p형 반도체를 통과하여 collector로 이동(I_C 전류 흐름) 이 때, I_B에 의해 TR이 ON 되므로 "전류(..

[2024.04.15.월] 인천인력개발원 하만 세미콘 아카데미 전자회로 해석 및 설계 RLC 응용 사례 1. Noise Coupling(노이즈 결합) 두 개의 IC가 회로로 연결되면 노이즈 결합(Noise Coupling 발생) IC쪽 회로에 각각 캐패시터 설치 -> Noise Decoupling -> 이러한 캐패시터를 Decoupling Capacitor(De-Cap)이라 함 De-Cap = Bypass Capacitor 2. 제조물 책임법(Product Liability, PL법) 기업에서 제조한 제품이 소비자에게 피해를 야기했을 때 소비자를 보호하기 위한 법 Diode 응용회로 1. PN 접합 다이오드(PN junction) p형 반도체: 주요 전하운반자로 양공을 사용하는 불순물 반도체 n형 반도체..

[2024.04.11.목] 인천인력개발원 하만 세미콘 아카데미 전자회로 해석 및 설계 3-1. 댐핑저항 댐핑저항 댐핑저항이 클수록 공진 감소 LC filter에서 LC 공진에 의한 Peaking 대역 존재 방지를 위해 직렬 저항 구성 댐핑저항 선택 방법: 수Ω~100Ω 내의 저항 사용(주로 20Ω~30Ω) PCB에서 기생L, C에 의한 공진, 전자파 발생을 줄이기 위해 댐핑저항 설치 1. 댐핑 저항 10mΩ 설치 2. 100mΩ 설치 3. 댐핑저항 1kΩ 설치, maximum step size 30u으로 변경 4. 댐핑저항 3Ω 5. 프로필ac로 변경, 입력을 AC로 변경하기 위해 PULSE 더블클릭, AC칸에 1 입력 6. 시뮬레이션 실행 7. 댐핑저항 제거 후 다시 시뮬레이션 전송선로: 신호가 지나가..

[2024.04.09.화] 인천인력개발원 하만 세미콘 아카데미전자회로 해석 및 설계2. 에너지 저장소자1. △R: 기생저항+접촉저항기생저항(Parasitic Resistance): 패턴 내에 존재하는 보이지 않는 저항접촉저항(Contact Resistance): 서로 접한 두 도체의 접촉면을 통해 전류가 흐를 때 그 접촉면에 생기는 저항, 고주파에서 기생 캐패시턴스와 기생 인덕턴스로 인해 접촉저항이 증가cut-off frequency ω = 1 / (R+△R)C가 되므로, R이 매우 커야 저항 변동률이 작아짐신호 처리용 적정 저항(R)값: 수백Ω~수십kΩ2. 캐패시터의 종류 전해 캐패시터(전해콘덴서, 케미콘) 유전체로 얇은 산화막, 전극으로 알루미늄 사용 전극의 극성 존재 장점: 1uF~수만uF로 비교적..

[2024.04.08.월] 인천인력개발원 하만 세미콘 아카데미 전자회로 해석 및 설계 2. 에너지 저장소자 RLC 회로의 I와 V 그래프 I = Q/t 이므로, 교류 전압의 주파수가 클 수록 Q의 흐름이 많아지고, I가 커져 저항 감소 1-1. 캐패시터의 임피던스 임피던스 저항과 용량성 리액턴스와 유도성 리액턴스의 조합을 포함한 회로에서 전류의 흐름 방해하는 것 단위: Ω 기호: Z 용량 리액턴스캐패시터의 임피던스 단위: Ω Zc: 용량 리액턴스 [Ω] f: 주파수 [Hz] C: 캐패시턴스 [F] 1-2. 캐패시터의 연결 직렬 합성 캐패시턴스 직렬 연결된 캐패시터에 충전된 전하량이 모두 동일 -> 각 축전기에 인가된 전위차의 총합 = 걸어준 전압 직렬 연결된 두 캐패시터의 합성 캐패시턴스는 둘 중 작은 ..

[2024.04.04.목] 인천인력개발원 하만 세미콘 아카데미 전자회로 해석 및 설계 실습 1: 최대 전력 전달 측정 1. 새 프로젝트 생성(MaxPwr) - Create Blank Project 2. 20일차 참고하여 변수 선언 및 회로 구성 오실로스코프 프로브를 이용하여 전압 측정 디스플레이에 전압을 파형으로 표시 OrCAD에서는 다음 아이콘으로 측정 가능 3. 파워 마커를 오른쪽 저항에 클릭 4. New Simulation Profile - DC로 이름 설정 5. Analysis 에서 Analysis Type을 DC Sweep로 설정 6. Sweep Variable의 글로벌 파라미터 선택 - 이름 입력 7. 저항을 1~1k까지 100옴씩 증가시키기 위해 Sweep Type에서 설정 8. 시뮬레이션 ..

[2024.04.03.수] 인천인력개발원 하만 세미콘 아카데미 전자회로 해석 및 설계 회로해석 이론 1. 피에조 소자 압전 효과를 이용한 소자 기계적 자극에 의해 분극 현상이 일어나는 것을 이용한 소자 압력에 따라 저항이 달라져 전류가 달라짐 2. 노드 전압 구하기 예시 3. 위 회로로 전자저울 아키텍쳐 설계 R4 위치에 피에조 소자를 위치 피에조 소자에 가해지는 압력에 따라 전압 변화 이에 따라 Va도 변화 a와 b노드에 op-amp를 연결(a에 +, b에 -)하여 신호 증폭 ADC(Analog to Digital Converter)를 이용하여 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환 Resolution: 해상도, 분해능 8Bit ADC -> 전압을 2^8개로 분해하여 분석 가능 10Bit ADC-> 전압을..

[2024.04.02.화] 인천인력개발원 하만 세미콘 아카데미전자회로 해석 및 설계회로 해석이론1. 단위 접두어 OrCAD 사용 시 주의점 대/소문자 구분 없음 Mega의 경우 m과 M이 중복되므로 meg 또는 MEG로 기술 단위 생략 가능 상온(Room Temperature): 300K = 섭씨 약 27도 **대문자 K는 켈빈, 소문자 k는 킬로 2. 전류(Current) 전하(electric charge): 대전된 물체가 갖는 전기의 양. +와 -로 구분 전하량: 전하의 양, Q [ C ] 전류(Current) 전하의 이동 또는 흐름 단위시간(!초)동안 이동한 전하량 단위: [ A ] (Ampere, 암페어) 1A = 1초동안 1C의 전하가 통과( I = Q / t [A] ) 전류의 방향: 전자의 흐..