하만(Harman) 세미콘 아카데미 32일차 - 전자회로 해석 및 설계(Not Gate(Inverter), BJT, Datasheet 분석)

하만(Harman) 세미콘 반도체 설계 과정/전자회로 해석 및 설계

하만(Harman) 세미콘 아카데미 32일차 - 전자회로 해석 및 설계(Not Gate(Inverter), BJT, Datasheet 분석)

semicon_circuitdesigner 2024. 4. 22. 13:55
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[2024.04.22.월] 인천인력개발원 하만 세미콘 아카데미


전자회로 해석 및 설계


3. Transistor 응용회로


1. Open_Collector 프로젝트 생성

2. 회로 구성

3. 시뮬레이션 실행

 

4. Propogation Delay발생: 내부 신호처리 과정에서 발생

5. 7405/EVAL로 변경

6. 시뮬레이션

파란 부분:High Z, Floating 상태

  • www.ti.com에서 7405 검색, datasheet 다운로드
  • HEX: 부품 6개 사용(DUAL, QUAD, HEX, OCTA)
  • OPEN-COLLECTOR: 아래 등가회로에서 입력이 HIGH면 OUTPUT에 LOW, 입력이 LOW면 Collector 핀의 OUTPUT이 Floating(Open) 상태

 

7. 위 등가회로를 참고하여 회로 구성

R1(RL)은 풀업저항

8. Simulation

  • OFF에서 0V가 나오지 않는 이유: BJT의 Saturation Voltage로 인함

[ ATMega 128 I/O Pin Equivalent Schematic 회로 분석 ]

  • 다이오드 2개: ESD 보호용 다이오드
  • 캐패시터: 기생 캐패시터 표현
  • Pxn: GPIO
  • Rpu: Pull-Up 저항
  • NMOS: Pxn을 input/output으로 사용 시 이를 결정하기 위해서 필요 

실습2: Pullup 저항 이용 Level Shifter


1. VCC 추가한 뒤 시뮬레이션

 

2. Pullup 저항을 1k로 변경 후 재시도

12v에 근접했으나, 소모전력이 증가(Pullup 저항은 1k~30k로 사용)


 

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